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    了解的LCR測(cè)試儀的基本知識(shí)

    更新時(shí)間:2024-11-12      點(diǎn)擊次數(shù):335

    測(cè)量阻抗有幾種不同的技術(shù)和方法,應(yīng)該根據(jù)測(cè)量的頻率范圍、要測(cè)量的阻抗參數(shù)以及想要顯示的測(cè)量結(jié)果來(lái)選擇一個(gè)具體的測(cè)試技術(shù)。   

    自動(dòng)平衡電橋技術(shù)在從毫歐姆到兆歐姆很寬的阻抗測(cè)量范圍內(nèi)有很高的測(cè)量精度,與之相適應(yīng)的測(cè)量頻率范圍可以從幾Hz到110MHz。   

    IV 和 RF-IV 技術(shù)在從毫歐姆到兆歐姆的阻抗測(cè)量范圍內(nèi)的測(cè)量精度同樣很好,與之相適應(yīng)測(cè)量頻率范圍可以從40Hz到3GHz左右。   

    傳輸 / 反射技術(shù)在非常寬的頻率范圍,從 5 Hz 到 110 GHz 以上,測(cè)量 50 歐姆或 75 歐姆附近的阻抗值時(shí),具有非常高的測(cè)量精度。   

    LCR測(cè)試儀和阻抗分析儀的主要區(qū)別之一是它們對(duì)測(cè)量結(jié)果的顯示方式。LCR 表用數(shù)字顯示測(cè)量結(jié)果,而阻抗分析儀既可以用數(shù)字也可以用圖形顯示測(cè)量結(jié)果。   

    LCR表或阻抗分析儀所采用的測(cè)量技術(shù)和儀表的類型無(wú)關(guān),根據(jù)測(cè)量的頻率范圍,它們可以采用RF-IV、IV 或自動(dòng)平衡電橋技術(shù)。   

    在某種程度上,在決定產(chǎn)品的最終設(shè)計(jì)性能,甚至決定制成品的生產(chǎn)時(shí)都會(huì)與產(chǎn)品所用器件的阻抗值有關(guān),最終產(chǎn)品的性能和質(zhì)量會(huì)受到器件的測(cè)量精度以及對(duì)器件的測(cè)量是否夠全面的影響。      

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    圖 0-1 各種測(cè)量方法和相應(yīng)的測(cè)量精度范圍     

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    阻抗參數(shù)的確定和選擇  

    阻抗是表征電子器件特性的參數(shù)之一。阻抗 (Z) 的定義是器件在給定的頻率下對(duì)交流電流 (AC) 所起的阻礙作用。   

    阻抗通常用復(fù)數(shù)量 ( 矢量 ) 的形式來(lái)表示,可以把它畫(huà)在極坐標(biāo)上。坐標(biāo)的第一和第二象限分別對(duì)應(yīng)正的電感值和正的電容值 ; 第三和第四象限則代表負(fù)的電阻值。阻抗矢量由實(shí)部 ( 電阻 — R) 和虛部 ( 電抗 — X) 組成。   

    圖 1-1 所示是阻抗矢量的值落在極坐標(biāo)系統(tǒng)中第一象限的情況。  

    image.png    

    圖 1-1. 阻抗的矢量表示   

    電容 (C) 和電感 (L) 的值可從電阻(R) 和電抗 (X) 值中推導(dǎo)出來(lái)。電抗的兩種形式分別是感抗 (X L) 和容抗(X C)。   

    品質(zhì)因數(shù) (Q) 和損耗因數(shù) (D) 也可從電阻和電抗的值中推導(dǎo)出來(lái),這兩個(gè)參數(shù)是表示電抗純度的。當(dāng) Q 值偏大或 D 值偏小時(shí),電路的質(zhì)量更高。Q 的定義是器件所儲(chǔ)存的能量與其做消耗的能量的比值。D 是 Q 的倒數(shù)。D 還等于“tan δ",其中 δ 是介質(zhì)損耗角 (δ 是相位角 θ 的余角 )。D 和 Q 均屬于無(wú)量綱的量。   

    圖 1-2 顯示的是阻抗與可以從阻抗值中所推導(dǎo)出的參數(shù)的關(guān)系。 

    image.png     

    圖 1-2. 電容器和電感器參數(shù)        

    以上就是了解的LCR測(cè)試儀的基本知識(shí)。

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